Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку ЦКП

Центр коллективного пользования «Центр по исследованию высокотемпературных сверхпроводников и других сильнокоррелированных электронных систем»

Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП ФИАН

Базовая организация: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук

Ведомственная принадлежность: ФАНО России

Год создания ЦКП: 2004

Сайт ЦКП: http://sites.lebedev.ru/cac/

Заказать услуги ЦКП

Контактная информация:

Местонахождение ЦКП:

  • Федеральный округ: Центральный
  • Регион: г. Москва
  • 119991, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 53

Руководитель ЦКП:

  • Пудалов Владимир Моисеевич, доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент РАН
  • +7 (499) 1326748
  • pudalov@sci.lebedev.ru

Контактное лицо:

  • Мицен Кирилл Владимирович, кандидат физико-математических наук
  • +7 (499) 1326748
  • mitsen@lebedev.ru

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: даЧисло организаций-пользователей, ед.: 7Число публикаций, ед.: 32Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 0.86

Краткое описание ЦКП:

Центр по исследованию высокотемпературных сверхпроводников и других сильно-коррелированных электронных систем был создан 2004г. как структурное подразделение Физического института им. П.Н. Лебедева на базе трех отделений ФИАН.
Основные направления научной деятельности ЦКП:
- Исследование сверхпроводимости, включая ВТСП
- Исследование мезоскопических систем, а также новых материалов для элементной базы микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров
- Исследование низкоразмерных электронных систем в полупроводниках
- Исследование органических материалов
- Исследование эффектов сильных межэлектронных корреляций
- Исследование магнетизма и магнитных материалов

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

  • Исследование сверхпроводимости, включая ВТСП;
  • Исследование мезоскопических систем, а также новых квантовых материалов для элементной базы микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров;
  • Исследование низкоразмерных электронных систем в полупроводниках;
  • Исследование органических материалов;
  • Исследование эффектов сильных межэлектронных корреляций;
  • Исследование магнетизма и магнитных материалов.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

  • Индустрия наносистем
  • Информационно-телекоммуникационные системы
  • Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика

Фотографии ЦКП:

Научное оборудование ЦКП (номенклатура — 28 ед.):

Измерительная установка «0.3К/21Тл» для измерений проводимости, магнитосопротивления и магнитной восприимчивости в магнитном поле 21Тл при температурах 0,3-300К.(входит в состав УНУ "Экстрим")
Марка:  0.3К/21Т
Фирма-изготовитель:  Cryogenic
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Измерительная установка - автоматизированный СКВИД-магнитометр MPMS-7 (в составе УНУ "ЭКСТРИМ")
Марка:  MPMS-XL7
Фирма-изготовитель:  Quantum Design EasyLab Technologies Ltd
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Измерительная установка «0.3K/7Тл» для измерения магнитотранспорта и его анизотропии в магнитном поле
Марка:  «Intermagnetics»,CTI-1400
Фирма-изготовитель:  «Intermagnetics», Cryogenic Technology Incorporated
Страна происхождения:  Россия; Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Измерительная установка СКВИД-магнитометр
Марка:  О1
Фирма-изготовитель:  "ФИАН, Stanford Research, SHE, LakeShore"
Страна происхождения:  Россия; Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Интерференционный микроскоп ЛЮМАМ И-3 (ЛОМО)
Марка:  ЛЮМАМ
Фирма-изготовитель:  ОАО ЛОМО
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Инфракрасный Фурье-спектрометр высокого разрешения
Марка:  IFS 125 HR
Фирма-изготовитель:  Bruker
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Комплекс аппаратуры для изготовления полевых МДП структур
Марка:  МДП-3
Фирма-изготовитель:  ФИАН
Страна происхождения:  Россия; Соединённые Штаты Америки; Япония
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Комплекс аппаратуры для измерений транспортных свойств материалов в диапазоне давлений 0-3ГПа (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
Марка:  КВД-3, КВД-2, NI-488
Фирма-изготовитель:  ФИАН
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Комплект оборудования для твердофазного синтеза, включая: планетарную мельницу; прибор для обработки металлов в атмосфере аргона; пилу алмазную настольную
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Многофункциональная измерительная криомагнитная установка CFMS-16
Марка:  CFMS-16
Фирма-изготовитель:  Cryogenics
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Многофункциональный автоматизированный комплекс PPMS-9 для проведения электрических, магнитных и температурных измерений свойств материалов (в составе УНУ ЭКСТРИМ;)
Марка:  PPMS-9
Фирма-изготовитель:  Quantum Design
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Рентгеновский дифрактометр X’Pert PRO MRD («PANAlytical)
Марка:  X’Pert PRO MRD
Фирма-изготовитель:  «PANAlytical BV»
Страна происхождения:  Нидерланды
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1

Сдвоенные герметичные перчаточные боксы со шлюзами, муфельной печью, шаровой мельницей, аналитическими весами
Марка:  СПЕКС GB-02 Retsch-MM 400
Фирма-изготовитель:  СПЕКС, Retsch, Fritsch
Страна происхождения:  Германия; Россия; Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Система измерения магнитных свойств на переменном токе на основе моста с перестраиваемой частотой АН 2700С
Марка:  АН 2700С
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Сканирующий зондовый микроскоп Solver Pro
Марка:  «Solver Pro»
Фирма-изготовитель:  НТ-МДТ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка - вибрационный магнитометр для измерений намагниченности в полях до 21Тесла и в диапазоне температур 1,4 - 300К (в составе УНУ ЭКСТРИМ)
Марка:  VSM
Фирма-изготовитель:  Cryogenic Limited
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка "TOR" для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
Марка:  EB4P3KW-TH1-3G2-SP-DC/RF
Фирма-изготовитель:  Torr
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка Helios NanoLab 660 для нанолитографии
Марка:  Helios NanoLab 660
Фирма-изготовитель:  NanoLab
Страна происхождения:  Нидерланды
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Установка для подготовки образцов к измерениям методом ультразвуковой микросварки
Марка:  4523D
Фирма-изготовитель:  Kulicke & Soffa Industries
Страна происхождения:  Израиль
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка для выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с оптическим нагревом
Марка:  FZ-T-4000-H-VI-VPO-PC
Фирма-изготовитель:  «Crystal Systems Corp.»
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Установка для измерений при сверхнизких температурах до 10мК, в диапазоне частот до 20ГГц
Марка:  BF-250LD
Фирма-изготовитель:  Bluefors
Страна происхождения:  Финляндия
Год выпуска:  2010
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка для измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур 4,2-300К
Марка:  ChP-2
Фирма-изготовитель:  ФИАН
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка для лазерной литографии, включая генератор изображения лазерный Heidelberg mPG101, с антивибрационным гранитным столом; блоками нанесения и сушки фоторезиста.
Марка:  mPG101
Фирма-изготовитель:  Heidelberg
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  не указано

Установка для напыления пленок PLD/MBE модель PVD-2300 (PVD)
Марка:  PVD-2300
Фирма-изготовитель:  PVD
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Установка для рентгеноструктурного анализа Rigaku Miniflex 600
Марка:  Miniflex 600
Фирма-изготовитель:  Rigaku
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1

Установка плазмохимической очистки
Марка:  УПХОА-5300
Страна происхождения:  Китайская Республика
Год выпуска:  2015
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Установка по измерению переходных процессов в ВТСП устройствах и измерению критических токов в длинномерных ВТСП проводах
Марка:  ВТСП-1
Фирма-изготовитель:  ФИАН, National Instruments
Страна происхождения:  Россия; Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  нет

Электронный растровый микроскоп c приставками для измерения катодолюминесценции и элементного анализа методом EDS
Марка:  JSM 7001FA
Фирма-изготовитель:  JEOL
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Услуги ЦКП (номенклатура — 20 ед.):

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Бесконтактные измерения локальных значений плотности критического тока сверхпроводящих ВТСП-лент и пленок. Предлагаемая индукционная методика основана на измерении полного нелинейного отклика образца на переменное магнитное поле, наводимое внешней микрокатушкой, расположенной у поверхности образца.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Пленочная МДП структура на поверхности исследуемых материалов (полуметаллов или полупроводников) создается нанесением органического диэлектрика методом CVD. Изготовление таких структур необходимо для проведения измерений вариаций химического потенциала образцов.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Изготовление стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников YBaCuO и FeSe(Te) методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Анизотропия тензора проводимости испытуемых материалов измеряется путем прецизионного вращения образца относительно направления магнитного поля. Диапазон магнитных полей - до 14Т, диапазон температур 0,4 - 300К.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измеряются компоненты тензора сопротивления образца, помещенного в криостат с магнитным полем до ~14Т. Диапазон температур 0,4 - 300К. Измерения проводятся 4-контактным методом на переменном или постоянном токе.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измерение критических токов и переходных процессов в устройствах и проводах на основе высокомемператрных сверхпроводников

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измерение спектров отражения и поглощения объмных и пленочных материалов и гетероструктур в диапазоне длин волн 0,5мкм- 1мм (c разрешением до 0,01см-1) и в диапазоне температур 4,2-300К с помощью инфракрасного спектрометра сверхвысокого разрешения IFS-125H

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Измерения геометрического и потенциального профиля поверхности проводящих материалов методом СТМ и АФМ при комнатной температуре с помощью зондового микроскопа SolverPro

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Измерения производной химического потенциала по температуре проводятся емкостным методом при помощи изготовляемой на поверхности испытуемого объемного или пленочного образца полевой структуры металл-диэлектрик- исследуемый образец. Диапазон температур - 4 - 300К. Результат измерений - температурная зависимость энтропии на 1 электрон и теплоемкости на 1 электрон.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  Измерения катодолюминесценции поверхности образцов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измерения параметров решетки, толщины и состава монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям полупроводниковых и металлических структур с помощью дифрактометра X'PertPRO MRD

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измерения полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости и магнитного момента материалов в диапазоне температур 1,8 – 350К и магнитных полей до 9Тл с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9». Измерения проводятся индуктивным методом на низкой частоте.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измерения полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов в диапазоне температур 2 – 500К и магнитных полей до 7Тл с помощью автоматизированного СКВИД-магнитометра «MPMS-XL-7» с порогом чувствительности 10-8 emu

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измерения теплоемкости материалов и структур в диапазоне температур 0,4-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измерения теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измеряются две компоненты тензора сопротивления испытуемого образца в зависимости от магнитного поля (0 - 9Т) и температуры (0.35 - 400К). Измерения проводятся на переменном токе низкой частоты, 4-контактным методом, с помощью синхронного детектирования.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измерение транспортных свойств образцов (тензор проводимости и его анизотропия относительно вектора магнитного поля) в условиях высокого гидростатического давления до 3ГПа, в диапазоне температур 0,3 - 300К и полей до 21Т.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измерения фазового состава поликристаллических порошковых образцов на дифрактометре ДРОН-2 методом Ритвальда

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем; Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Краткое описание услуги:  Измерения энергетических щелей в спектре сверхпроводниковых материалов проводятся формированием микроконтакта на микротрещине. Измерения проводятся в режимах Андреевского отражения и многократного Андреевского отражения на одиночных контактах и цепочках контактов.

Методики измерений, применяемые в ЦКП (номенклатура — 19 ед.):

Методика измерений теплоемкости с помощью автоматизированного измерительного комплекса «PPMS-9»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  12.03.2015

Бесконтактные измерения критического тока ВТСП лент
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  15.02.2012

Экспресс-измерения комплексной магнитной восприимчивости материалов
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  21.09.2011

Методика измерения мощности излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИ Метрологической службы Росстандарта
Дата аттестации:  10.11.2009

Методика измерения локального элементного состава поверхности методом EDX с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  15.02.2012

Методика измерения состава и толщины монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ВНИИ Метрологической службы Росстандарта
Дата аттестации:  09.11.2009

Методика выполнения измерений при изготовлении стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  21.09.2011

Методика выполнения измерений полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тл с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика выполнения измерений сверхпроводящих щелей в электронных спектрах сверхпроводниковых материалов методом микроконтактной спектроскопии
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  21.09.2011

Методика выполнения измерений спектров отражения и пропускания в ИК-диапазоне
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  27.04.2010

Методика выполнения измерений теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика измерения в условиях высокого давления (до 3ГПа) сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле до 21Тесла
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  15.02.2012

Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  15.02.2012

Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,2К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Т»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  15.02.2012

Методика измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур при субгелиевых температурах и в магнитных полях до 9 Тесла с помощью автоматизированного измерительного комплекса «PPMS-9»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика измерений полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов с помощью измерительной установки «MPMS-XL-7»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при сверхнизких температурах в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,03К/13Тл»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «1,3К/16Тл»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)
Дата аттестации:  13.12.2009

Вернуться к списку ЦКП

 

Для просмотра сайта поверните экран