Центры коллективного пользования

Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников (Центр коллективного пользования «Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников»)

ЦКП создан в 2010 году

Данный ЦКП был поддержан в рамках мероприятия 5.2 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направления развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Данный университет является победителем конкурсного отбора программ развития университетов, в отношении которых устанавливается категория «национальный исследовательский университет (НИУ)»
Базовая организация данного ЦКП является головной организацией отрасли по направлению развития нанотехнологий: "Функциональные наноматериалы для энергетики" в рамках ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2011 годы»
Адрес
  • Центральный, г. Москва
  • 115409, г. Москва, Каширское ш., д.31
  • 🌎http://ckp-nano.mephi.ru/
Руководитель
  • 👤Каргин Николай Иванович
  • 📞(8495) 7885699
  • NIKargin@mephi.ru
Контактное лицо
  • 👤Каргин Николай Иванович
  • 📞(8495) 7885699
Сведения о результативности за 2016 год (данные мониторинга)
Участие в мониторинге Число организаций-пользователей, ед. Число публикаций, ед. Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %
нет000.00
Базовая организация

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Информация о центре коллективного пользования (ЦКП)

Центр коллективного пользования «Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников» Национального исследовательского ядерного университета МИФИ на базе Института функциональной ядерной электроники НИЯУ МИФИ и кафедры «Физика наноразмерных гетероструктур и СВЧ-наноэлектроника»  с целью рационального и эффективного использования научного оборудования, закупленного в 2008-2012 г.г. в рамках реализации программы развития НИЯУ МИФИ, а также федеральных целевых программ: «Развитие инфраструктуры наноиндустрии» и «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007—2013 годы».

Направления научных исследований

  • функциональные наноматериалы;
  • физические свойства наноразмерных объектов;
  • тонкопленочные и наноразмерные структуры для микро- и наноэлектроники;
  • физические методы аттестации электронных, структурных и термодинамических характеристик.

Приоритетные направления
115409, г. Москва, Каширское ш., д.31
📷

Оборудование (31)

Наименование Страна Фирма-изготовитель Марка Год
Сканирующий зондовый микроскоп «СОЛВЕР НЕКСТ» (НТ-МДТ)
Россия ЗАО НТ-МДТ (ЗАО Нанотехнология МДТ, Инструменты нанотехнологий, Нанотехнология Санкт-Петер СОЛВЕР НЕКСТ 2012
Масс-спектрометр X-Series-II с ионизацией в индуктивно-связанной плазме с системой лазерной абляции (New Wave Research)
Соединённые Штаты Америки New Wave Research X-Series-II 2008
Комбинированный тандемный квадрупольно-времяпролетный масс-спектрометр "QqTOF" (Sciex Applied Biosystems)
Канада Sciex Applied Biosystems QqTOF 2007
Сверхвысоковакуумный комплекс (Kratos Analytical Ltd.) с модулем ИЛО для формирования и in situ анализа нанокластеров и сверхтонких слоев на базе электронного спектрометра XSAM-800
Великобритания Kratos XSAM-800, SIM-2000 1982
Большой фотомикроскоп отраженного света Neophot 30 (Carl Zeiss)
Германия Carl Zeiss Jena Neophot 30 2012
Растровый электронный микроскоп DSM-960 (Opton) с рентгеновским энерго-дисперсионным анализатором Amptek (США) и сканирующим туннельным микроскопом Un-derSEM
Германия Opton; Amptek DSM-960 1989
Сверхвысоковакуумная система анализа поверхности Multiprobe MXPS (Omicron) с источником осаждения нанокластеров Nanogen-50 и квадрупольным масс-фильтром MesoQ (Mantis Deposition Ltd., Великобритания)
Германия Omicron NanoTechnology Multiprobe MXPS 2008
Аппарат для нанесения гальванических покрытий PGG 10/1,5 (Heimerle)
Германия Heimerle PGG 10/1,5 2012
Потенциостат-гальваностат P-30S (Elins)
Россия Elins P-30S 2012
Система измерения эффекта Холла HMS-3000 (Ecopia)
Республика Корея Ecopia Corp HMS-3000 2012
Установка плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности NANO-UHP (Diener Electronic GmbH)
Германия Diener Electronic NANO-UHP 2012
Система измерения удельного поверхностного сопротивления напылённых слоев RMS-EL-Z (Jandel Engineering)
Великобритания Jandel Engineering RMS-EL-Z 2012
Спектроскопический эллипсометр SE 850 (SENTCH)
Германия Sentech SE 850 2012
Установка эпитаксии из газовой фазы Epic CVD (SMI)
Соединённые Штаты Америки SMI Epic CVD 2011
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии GEN-930 (Veeco)
Соединённые Штаты Америки Veeco GEN-930 2011
Рентгеновский дифрактометр Ultima IV (Rigaku)
Япония Rigaku Ultima IV 2011
Инфракрасный Фурье спектрометр FTIR-8400S (Shimadzu)
Япония Shimadzu (Шимадзу) FTIR-8400S 2008
Спектрометрический комплекс на основе монохроматора МДР-41 (ЛОМО)
Россия ЛОМО - 2009
Спектроскопический эллипсометр PHE-102 (Angstrom Advanced Inc.)
Соединённые Штаты Америки Angstrom Advanced PHE-102 2009
Установка для исследования эффекта Холла HMS-5000 (Ecopia)
Республика Корея Ecopia Corp HMS-5000 2011
Измерительный комплекс полупроводниковых структур B1500A (Agilent Technologies)
Соединённые Штаты Америки Agilent Technologies B 1500 A 2009
Комплекс измерений S-, X- параметров PNA-X N 5245A в полосе от 0,01 до 50 ГГц (Agilent Technologies)
Соединённые Штаты Америки Agilent Technologies N5247A PNA-X 2011
Установка быстрого термического отжига Modular RTP600S (Modular Process Technology Corp.)
Соединённые Штаты Америки Modular Process Technology RTP-600S 2009
Системы электро-лучевого напыления тонких пленок PVD 250 (Kurt J. Lesker Company)
Соединённые Штаты Америки Kurt J. Lesker РVD-250 2009
Установка для термического вакуумного напыления РVD-75 (Kurt J. Lesker Company)
Соединённые Штаты Америки Kurt J. Lesker РVD-75 2009
Установка для плазмохимического осаждения из газовой фазы LPX PECVD (SPP Process Technology Systems)
Великобритания SPTS LPX PECVD 2009
Установка плазмохимического реактивно-ионного травления SPTS LPX ICP (SPP Process Technology Systems)
Великобритания SPTS SPTS LPX ICP 2010
Комбинированная система нанесения и задубливания резиста Sawatec SM180 НР150 (Sawatec, Швейцария)
Швейцария Sawatec AG SM-180 2008
Система безмасковой лазерной литографии DWL 66FS (Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH)
Германия Heidelberg Instruments DWL 66FS 2009
Установка контактной литографии микросхем Suss MJB4 (SUSS MicroTec)
Германия Suss Microtec MJB4 2009
Автоэмиссионный растровый электронный микроскоп с блоком нанолитографии Raith 150 TWO (Raith, Германия)
Германия Raith Raith 150-Two 2008

Услуги (13)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию.
Наименование Приоритетное направление
Измерение удельного сопротивления слоев
Индустрия наносистем
Получение эпитаксиальных слоев карбида кремния и родственных широкозонных материалов методом эпитаксии из газовой фазы
Индустрия наносистем
Исследование перехода металл-неметалл в нанокластерах ряда 3d металлов на основе оже-перехода Костера-Кронига
Науки о жизни
Формирование in situ и исследование электронных характеристик систем нанокластеров металлов
Индустрия наносистем
Определение морфологии поверхности образцов методом сканирующей зондовой микроскопии
Индустрия наносистем
Определения локального элементного состава приповерхностных слоев (~1 мкм) твердотельных образцов методом рентгеновского энергодисперсионного микроанализа (РМА)
Индустрия наносистем
Определения элементного состава поверхностных слоев твердотельных образцов методом Оже-электронной спектроскопии (ОЭС)
Индустрия наносистем
Определение элементного и химического состава поверхностных слоев (1-10 нм) твердотельных образцов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС)
Индустрия наносистем
Измерение электрофизических параметров полупроводниковых структур методом изучения эффекта Холла
Индустрия наносистем
Исследование тонких пленок методом ИК-Фурье спектрометрии
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем
Исследование морфологии поверхности экспериментальных образцов методом растровой электронной микроскопии
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем
Исследование тонкопленочных образцов методом спектральной эллипсометрии
Индустрия наносистем
Исследование экспериментальных образцов методом рентгеновской дифрактометрии
- наиболее востребованная услуга
Индустрия наносистем

Методики (17)

Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику Дата аттестации
Эпитаксия из газовой фазы
Молекулярно-лучевая эпитаксия
Измерение сопротивления слоев четырехзондовым методом
Формирование и определение распределений нанокластеров металов по размерам и расстояниям
Сканирующая зондовая микроскопия
Растровая электронная микроскопия и определение локального элементного состава приповерхностных слоев методом рентгеновского энергодисперсионного микроанализа
Оже-электронная спектроскопия (ОЭС)
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)
Оптическая микроскопия
Исследование S -, X - параметров приборных структур в полосе от 0,01 до 50 ГГц
Измерение электрофизических параметров полупроводниковых структур методом изучения эффекта Холла
Измерение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур
ИК-Фурье спектрометрия
Оптическая спектроскопия (УФ – вид. диапазон) и рефлектометрия
Профилометрия поверхности полупроводниковых структур
Рентгеновская дифрактометрия
Спектральная эллипсометрия

Возврат к списку


0 комментариев

Комментарии отсутствуют!

Вы можете оставить свое сообщение первым.

Написать комментарий