Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку ЦКП

Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников

Сокращенное наименование ЦКП: Центр коллективного пользования «Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников»

Базовая организация: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Ведомственная принадлежность: Минобрнауки России

Год создания ЦКП: 2010

Сайт ЦКП: http://ckp-nano.mephi.ru/

Заказать услуги ЦКП

Контактная информация:

Местонахождение ЦКП:

  • Федеральный округ: Центральный
  • Регион: г. Москва
  • 115409, г. Москва, Каширское ш., д.31

Руководитель ЦКП:

  • Каргин Николай Иванович, доктор технических наук, профессор
  • +7 (495) 7885699
  • NIKargin@mephi.ru

Контактное лицо:

  • Каргин Николай Иванович, доктор технических наук
  • +7 (495) 7885699
  • krgn@yandex.ru

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: даЧисло организаций-пользователей, ед.: 6Число публикаций, ед.: 3Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 40.23

Краткое описание ЦКП:

Центр коллективного пользования «Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников» Национального исследовательского ядерного университета МИФИ на базе Института функциональной ядерной электроники НИЯУ МИФИ и кафедры «Физика наноразмерных гетероструктур и СВЧ-наноэлектроника»  с целью рационального и эффективного использования научного оборудования, закупленного в 2008-2012 г.г. в рамках реализации программы развития НИЯУ МИФИ, а также федеральных целевых программ: «Развитие инфраструктуры наноиндустрии» и «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007—2013 годы».

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

  • функциональные наноматериалы;
  • физические свойства наноразмерных объектов;
  • тонкопленочные и наноразмерные структуры для микро- и наноэлектроники;
  • физические методы аттестации электронных, структурных и термодинамических характеристик.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

    Индустрия наносистем

Фотографии ЦКП:

Научное оборудование ЦКП: (номенклатура — 31 ед.)

Автоэмиссионный растровый электронный микроскоп с блоком нанолитографии Raith 150 TWO (Raith, Германия)
Марка:  Raith 150-Two
Фирма-изготовитель:  Raith
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1

Аппарат для нанесения гальванических покрытий PGG 10/1,5 (Heimerle)
Марка:  PGG 10/1,5
Фирма-изготовитель:  Heimerle
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1

Большой фотомикроскоп отраженного света Neophot 30 (Carl Zeiss)
Марка:  Neophot 30
Фирма-изготовитель:  Carl Zeiss Jena
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1

Измерительный комплекс полупроводниковых структур B1500A (Agilent Technologies)
Марка:  B 1500 A
Фирма-изготовитель:  Agilent Technologies
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Инфракрасный Фурье спектрометр FTIR-8400S (Shimadzu)
Марка:  FTIR-8400S
Фирма-изготовитель:  Shimadzu (Шимадзу)
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1

Комбинированная система нанесения и задубливания резиста Sawatec SM180 НР150 (Sawatec, Швейцария)
Марка:  SM-180
Фирма-изготовитель:  Sawatec AG
Страна происхождения:  Швейцария
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1

Комбинированный тандемный квадрупольно-времяпролетный масс-спектрометр "QqTOF" (Sciex Applied Biosystems)
Марка:  QqTOF
Фирма-изготовитель:  Sciex Applied Biosystems
Страна происхождения:  Канада
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1

Комплекс измерений S-, X- параметров PNA-X N 5245A в полосе от 0,01 до 50 ГГц (Agilent Technologies)
Марка:  N5247A PNA-X
Фирма-изготовитель:  Agilent Technologies
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Масс-спектрометр X-Series-II с ионизацией в индуктивно-связанной плазме с системой лазерной абляции (New Wave Research)
Марка:  X-Series-II
Фирма-изготовитель:  New Wave Research
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1

Потенциостат-гальваностат P-30S (Elins)
Марка:  P-30S
Фирма-изготовитель:  Elins
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1

Растровый электронный микроскоп DSM-960 (Opton) с рентгеновским энерго-дисперсионным анализатором Amptek (США) и сканирующим туннельным микроскопом Un-derSEM
Марка:  DSM-960
Фирма-изготовитель:  Opton; Amptek
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  1989
Количество единиц:  1

Рентгеновский дифрактометр Ultima IV (Rigaku)
Марка:  Ultima IV
Фирма-изготовитель:  Rigaku
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Сверхвысоковакуумная система анализа поверхности Multiprobe MXPS (Omicron) с источником осаждения нанокластеров Nanogen-50 и квадрупольным масс-фильтром MesoQ (Mantis Deposition Ltd., Великобритания)
Марка:  Multiprobe MXPS
Фирма-изготовитель:  Omicron NanoTechnology
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1

Сверхвысоковакуумный комплекс (Kratos Analytical Ltd.) с модулем ИЛО для формирования и in situ анализа нанокластеров и сверхтонких слоев на базе электронного спектрометра XSAM-800
Марка:  XSAM-800, SIM-2000
Фирма-изготовитель:  Kratos
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  1982
Количество единиц:  1

Система безмасковой лазерной литографии DWL 66FS (Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH)
Марка:  DWL 66FS
Фирма-изготовитель:  Heidelberg Instruments
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Система измерения удельного поверхностного сопротивления напылённых слоев RMS-EL-Z (Jandel Engineering)
Марка:  RMS-EL-Z
Фирма-изготовитель:  Jandel Engineering
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1

Система измерения эффекта Холла HMS-3000 (Ecopia)
Марка:  HMS-3000
Фирма-изготовитель:  Ecopia Corp
Страна происхождения:  Республика Корея
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1

Системы электро-лучевого напыления тонких пленок PVD 250 (Kurt J. Lesker Company)
Марка:  РVD-250
Фирма-изготовитель:  Kurt J. Lesker
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Сканирующий зондовый микроскоп «СОЛВЕР НЕКСТ» (НТ-МДТ)
Марка:  СОЛВЕР НЕКСТ
Фирма-изготовитель:  ЗАО НТ-МДТ (ЗАО Нанотехнология МДТ, Инструменты нанотехнологий, Нанотехнология Санкт-Петер
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1

Спектрометрический комплекс на основе монохроматора МДР-41 (ЛОМО)
Марка:  -
Фирма-изготовитель:  ЛОМО
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Спектроскопический эллипсометр PHE-102 (Angstrom Advanced Inc.)
Марка:  PHE-102
Фирма-изготовитель:  Angstrom Advanced
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Спектроскопический эллипсометр SE 850 (SENTCH)
Марка:  SE 850
Фирма-изготовитель:  Sentech
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1

Установка быстрого термического отжига Modular RTP600S (Modular Process Technology Corp.)
Марка:  RTP-600S
Фирма-изготовитель:  Modular Process Technology
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Установка для исследования эффекта Холла HMS-5000 (Ecopia)
Марка:  HMS-5000
Фирма-изготовитель:  Ecopia Corp
Страна происхождения:  Республика Корея
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Установка для плазмохимического осаждения из газовой фазы LPX PECVD (SPP Process Technology Systems)
Марка:  LPX PECVD
Фирма-изготовитель:  SPTS
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Установка для термического вакуумного напыления РVD-75 (Kurt J. Lesker Company)
Марка:  РVD-75
Фирма-изготовитель:  Kurt J. Lesker
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Установка контактной литографии микросхем Suss MJB4 (SUSS MicroTec)
Марка:  MJB4
Фирма-изготовитель:  Suss Microtec
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии GEN-930 (Veeco)
Марка:  GEN-930
Фирма-изготовитель:  Veeco
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Установка плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности NANO-UHP (Diener Electronic GmbH)
Марка:  NANO-UHP
Фирма-изготовитель:  Diener Electronic
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1

Установка плазмохимического реактивно-ионного травления SPTS LPX ICP (SPP Process Technology Systems)
Марка:  SPTS LPX ICP
Фирма-изготовитель:  SPTS
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  2010
Количество единиц:  1

Установка эпитаксии из газовой фазы Epic CVD (SMI)
Марка:  Epic CVD
Фирма-изготовитель:  SMI
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Услуги ЦКП: (номенклатура — 13 ед.)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Науки о жизни

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Методики измерений, применяемые в ЦКП: (номенклатура — 17 ед.)

Оже-электронная спектроскопия (ОЭС)

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)

Измерение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур

Измерение сопротивления слоев четырехзондовым методом

Измерение электрофизических параметров полупроводниковых структур методом изучения эффекта Холла

ИК-Фурье спектрометрия

Исследование S -, X - параметров приборных структур в полосе от 0,01 до 50 ГГц

Молекулярно-лучевая эпитаксия

Оптическая микроскопия

Оптическая спектроскопия (УФ – вид. диапазон) и рефлектометрия

Профилометрия поверхности полупроводниковых структур

Растровая электронная микроскопия и определение локального элементного состава приповерхностных слоев методом рентгеновского энергодисперсионного микроанализа

Рентгеновская дифрактометрия

Сканирующая зондовая микроскопия

Спектральная эллипсометрия

Формирование и определение распределений нанокластеров металов по размерам и расстояниям

Эпитаксия из газовой фазы

Вернуться к списку ЦКП

 

Для просмотра сайта поверните экран