Ваш браузер устарел!

Браузер, которым вы пользуетесь для просмотра этого сайта, устарел и не соответствует современным технологическим стандартам Интернета.

Вы можете установить последнюю версию подходящего браузера, воспользовавшись ссылками ниже:


Вернуться к списку ЦКП

Центр коллективного пользования научным оборудованием «Нанодиагностика и метрологическое обеспечение наукоемких технологий» Государственного научного метрологического центра АО «НИЦПВ»

Сокращенное наименование ЦКП: ЦКП НИЦПВ

Базовая организация: АО «НИЦПВ»

Ведомственная принадлежность: Росстандарт

Год создания ЦКП: 1996

Сайт ЦКП: http://www.nicpv.ru/ckp/

Заказать услуги ЦКП

Контактная информация:

Местонахождение ЦКП:

  • Федеральный округ: Центральный
  • Регион: г. Москва
  • 119421, г. Москва, ул. Новаторов, д.40, корп.1

Руководитель ЦКП:

  • Митюхляев Виталий Борисович, кандидат физико-математических наук, доцент
  • +7 (495) 9359777
  • nicpv@mail.ru

Контактное лицо:

  • Митюхляев Виталий Борисович, кандидат физико-математических наук
  • +7 (495) 9359777
  • nicpv@mail.ru

Сведения о результативности за 2017 год (данные ежегодного мониторинга)

Участие в мониторинге: даЧисло организаций-пользователей, ед.: 15Число публикаций, ед.: 0Загрузка в интересах внешних организаций-пользователей, %: 16.13

Краткое описание ЦКП:

Тематика научных исследований ЦКП НИЦПВ
- фундаментальные и прикладные проблемно-ориентированные исследования особенностей взаимодействия измерительных зондов, пучков заряженных частиц, рентгеновского и оптического излучений с наноструктурированными объектами;
-  разработка и создание методов и средств обеспечения единства измерений в нанотехнологиях, стандартизированных методик измерений и калибровки (поверки), стандартных образцов состава, структуры, размера и свойств;
- исследования способов повышения достоверности и точности измерений в нанотехнологиях методами: растровой электронной, просвечивающей электронной, атомно-силовой, туннельной, оптической ближнего поля, магнитно-силовой,  оже-электронной, ионной микроскопий; электронно-зондового рентгеноспектрального анализа, рентгенофотоэлектронной спектроскопии, оже-электронной спектроскопии, масс-спектрометрии вторичных ионов, локального рентгенофлуоресцентного анализа, рентгенофлуоресцентного анализа с полным внешним отражением, EXAFS- и XANES- спектроскопии; электронографии, дифракции медленных электронов, малоуглового рентгеновского рассеяния, рентгеновской рефлектометрии; комбинационного рассеяния света, эллипсометрии, динамического светорассеяния, люминесцентной спектроскопии, ИК-фурье-спектроскопии.

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

  • метрологическое обеспечение и стандартизация в области нанотехнологий;
  • разработка методов и средств передачи единиц величин в нанометровый диапазон;
  • испытания для целей утверждения типа, поверка и калибровка средств измерений, применяемых в области нанотехнологий;
  • разработка и аттестация методик измерений, применяемых в области нанотехнологий;
  • метрологическая экспертиза технической документации, разрабатываемой в области нанотехнологий.

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):

    Индустрия наносистем

Фотографии ЦКП:

Научное оборудование ЦКП: (номенклатура — 20 ед.)

Автоматизированный интерференционный микропрофилометр АИМ (ВНИИОФИ)
Марка:  АИМ
Фирма-изготовитель:  ФГУП ВНИИОФИ (ФГУП Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений)
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1

Активно-виброизоляционный стенд для оптикомеханических и зондовых измерений
Фирма-изготовитель:  HWL Scientific Instruments GmbH
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1
Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения:  да

Дифрактометр высокого разрешения D8 DISCOVERY (Bruker)
Марка:  D8 DISCOVERY
Фирма-изготовитель:  Bruker AXS GmbH
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1

Инфракрасный Фурье-спектрометр Tensor 37 (Bruker)
Марка:  Tensor 37
Фирма-изготовитель:  Bruker
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2004
Количество единиц:  1

Мера ширины и периода специальная МШПС-2.0К
Марка:  МШПС-2.0К
Фирма-изготовитель:  ОАО НИЦПВ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2009
Количество единиц:  1

Модуль оптической профилометрии MicroXAM-100 (KLA-Tencor Corp.)
Марка:  MicroXAM-100
Фирма-изготовитель:  KLA-Tencor Corp.
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Просвечивающий электронный микроскоп JEM-2100 (JEOL)
Марка:  JEM-2100
Фирма-изготовитель:  JEOL
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1

Профилометр интерференционный компьютерный ПИК-30 (ФГУП ВНИИОФИ)
Марка:  ПИК-30
Фирма-изготовитель:  ФГУП ВНИИОФИ (ФГУП Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений)
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2005
Количество единиц:  1

Рамановский спектрометр высокого разрешения MICRO-S-RAMAN (Spectroscopy)
Марка:  MICRO-S-RAMAN
Фирма-изготовитель:  Spectroscopy
Страна происхождения:  Германия
Год выпуска:  2004
Количество единиц:  1

Растровый электронный микроскоп JSM-6460LV (JEOL) с приставкой рентгеновского микроанализа INCAx-sight, приставкой регистрации спектров микро-катодолюминес-ценции MonoCL3 и приставкой регистрации дифракции обратно-рассеянных электронов
Марка:  JSM 6460LV
Фирма-изготовитель:  JEOL
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2003
Количество единиц:  1

Растровый электронный микроскоп Quanta 200 (FEI Company)
Марка:  Quanta 200
Фирма-изготовитель:  FEI Company
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Растровый электронный микроскоп S-4800 FE-SEM (HITACHI)
Марка:  S-4800
Фирма-изготовитель:  HITACHI
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2006
Количество единиц:  1

Сверхвысоковакуумный нанотехнический СЗМ-комплекс Nanofab-100 (НТ-МДТ)
Марка:  Nanofab-100
Фирма-изготовитель:  ЗАО НТ-МДТ (ЗАО Нанотехнология МДТ, Инструменты нанотехнологий, Нанотехнология Санкт-Петербург, NT-MDT)
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2013
Количество единиц:  1

Система лазерная измерительная ЛИС-01М
Марка:  ЛИС-01М
Фирма-изготовитель:  АО "НИЦПВ"
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2004
Количество единиц:  1

Сканирующий зондовый микроскоп SOLVER P47H (НТ-МДТ)
Марка:  SOLVER P47H
Фирма-изготовитель:  НТ-МДТ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2000
Количество единиц:  1

Сканирующий зондовый микроскоп Интегра Аура (НТ-МДТ)
Марка:  Интегра Аура
Фирма-изготовитель:  НТ-МДТ
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2007
Количество единиц:  1

Спектральный эллипсометрический комплекс "ЭЛЛИПС-1891М" (ИФП РАН)
Марка:  ЭЛЛИПС-1891М
Фирма-изготовитель:  ИФП РАН
Страна происхождения:  Россия
Год выпуска:  2011
Количество единиц:  1

Установка для нанесения покрытий методом магнетронного распыления Q150 S/E/ES (Quorum Technologies)
Марка:  Q150 S/E/ES
Фирма-изготовитель:  Quorum Technologies
Страна происхождения:  Великобритания
Год выпуска:  2014
Количество единиц:  1

Установка плазменной очистки PC-2000 (South Bay Technology)
Марка:  PC-2000
Фирма-изготовитель:  South Bay Technology Inc.
Страна происхождения:  Соединённые Штаты Америки
Год выпуска:  2012
Количество единиц:  1

Электронно-ионный микроскоп JIB-4500 c микроманипулятором IB-32010FPUS (JEOL)
Марка:  JIB-4500
Фирма-изготовитель:  JEOL
Страна происхождения:  Япония
Год выпуска:  2008
Количество единиц:  1

Услуги ЦКП: (номенклатура — 50 ед.)

Для подачи заявки на оказание услуги щелкните по ее наименованию

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем
Краткое описание услуги:  поверка

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Приоритетные направления (указ Президента РФ N 899):  Индустрия наносистем

Методики измерений, применяемые в ЦКП: (номенклатура — 131 ед.)

Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.03.2012

Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью измерительного стенда для выходного контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  26.07.2012

Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью стенда для проведения предварительных испытаний кристаллических рельефных наноструктур
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.10.2012

ГОСТ 8.591-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ 8.593-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика поверки
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ 8.594-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые. Методика поверки
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ Р 8.696-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ Р 8.629-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ Р 8.630-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые измерительные. Методика поверки
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ Р 8.631-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ Р 8.635-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика калибровки
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ Р 8.636-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые. Методика калибровки
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ Р 8.644-2008 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ Р 8.697-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ Р 8.698-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Размерные параметры наночастиц и тонких пленок. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

ГОСТ Р 8.700-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Методика измерений эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ

Государственная система обеспечения единства измерений. Преобразователи акустической эмиссии. Методика поверки. МИ 3124-2008
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.04.2008

ГСИ. Высокоразрешающие пространственно-угловые рефлектометрические измерения. Методика выполнения измерений с помощью высокоразрешающего сканирующего рефлектометра.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Гомогенность кристаллических объектов. Методика выполнения измерений методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Измерение линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа Tecnai G2 30 S-TWIN с рентгеновским спектрометром фирмы EDAX
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  17.07.2006

ГСИ. Интегральные структурные параметры наночастиц и кластеров в моно- полидисперсных системах, толщина и период повторяемости в тонких пленках. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра с позиционно-чувствительным детектором «АМУР-К»
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Линейные и объемные дефекты в кристаллических структурах. Методика выполнения измерений с помощью двухкристального рентгеновского топографического спектрометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Линейные размеры объектов в диапазоне 2-100 мкм. Методика выполнения измерений на оптическом микроскопе Carl Zeiss E2
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микро-рельефа поверхности твердотельных материалов, регистрируемые в ионных и электронных лучах. Методика выполнения измерений с помощью микроскопа Quanta 200 3D
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.03.2009

ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микро-рельефа поверхности твердотельных материалов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  14.07.2006

ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов. Методика выполнения измерений с помощью растровых электронных микроскопов JSM-840 и BS-340
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,08 ÷ 60 нм; распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-102 (модернизированного)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  21.11.2005

ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,1 ÷ 60 нм. Распределение интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-102.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа EM-430ST.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующей зондовой нанолаборатории Ntegra Prima
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  14.07.2006

ГСИ. Метрические параметры полимерных микро-капсул в водных суспензиях. Методика выполнения измерений с помощью оптического микроскопа Leica TCS SPE
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.03.2009

ГСИ. Микротвердость материалов. Методика выполнения измерений микротвердости с помощью микротвердомера ПМТ-3.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Нарушенные слои и нанесенные покрытия. Методика выполнения измерений рентгеновским методом.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Объемное и удельное сопротивления высокоомных кристаллических диэлектриков и полупроводников. Методика выполнения измерений.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Определение политипов монокристаллов карбида кремния. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S с координатным детектором
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.03.2009

ГСИ. Ориентация образца, параметры элементарной ячейки и симметрия монокристаллов в области температур 10-800К. Методика выполнения измерений с помощью четырехкружных рентгеновских дифрактометров Enraf-Nonius и Huber.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Ориентация образца, параметры элементарной ячейки и симметрия монокристаллов в области температур 90-490К. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  14.07.2006

ГСИ. Ориентировка крупных кристаллов на рентгеновском дифрактометре. Методика выполнения измерений рентгенодифракционным методом.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Параметры структуры монокристаллов и сложных многослойных нанокомпозиций. Методика выполнения измерений рентгенодифракционным методом.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Параметры шероховатости сверхгладких поверхностей. Методика выполнения измерений рентгеновским методом.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  21.11.2005

ГСИ. Пространственное распределение атомов в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского спектрометра АССВ.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  14.07.2006

ГСИ. Спектральные показатели ослабления конденсированных сред в диапазоне длин волн 0,2-50 мкм. Методика выполнения измерений спектрофотометрическим методом.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Структура поверхности кристалла при дифракции электронов на отражение. Методика выполнения измерений электронографическим методом.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Фазовый анализ поликристаллов. Методика выполнения измерений с помощью координатного рентгеновского дифрактометра КАРД-6.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.11.2004

ГСИ. Эффективная шероховатость поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  21.11.2005

Диаметр микро- и нанообъектов сферической формы. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.07.2011

Измерение линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  31.08.2009

Линейные параметры отверстий в тонких мембранах. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.07.2011

Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  01.09.2009

Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа S-4800
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  31.08.2009

МВИ вольт-апмперной характеристики наноструктур с абсолютным значением силы электрического тока, протекающего через наноструктуру, в диапазоне от 100 пА до 100 нА при изменении приложенного напряжения в диапазоне от минус 10 В до 10 В, с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.10.2010

МВИ геометрических параметров наноразмерных полупроводниковых многослойных гетероструктур с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7001F
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.12.2009

МВИ геометрических параметров продукции нанотехнологий на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля в режиме квазитрения
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  22.10.2010

МВИ геометрических параметров трехмерного распределения локального оптического поля на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля с использованием стандартных образцов наноструктур и фотонных кристаллов
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  22.10.2010

МВИ диаметра микро- и нанообъектов сферической формы с помощью растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.10.2010

МВИ диаметра микро- и нанообъектов сферической формы с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.10.2010

МВИ диаметров верхнего и нижнего отверстий в мембранах известной толщины с помощью растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.10.2010

МВИ линейных размеров (диаметра и длины) углеродных нанотрубок с помощью растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.10.2010

МВИ линейных размеров (диаметра и длины) углеродных нанотрубок с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.10.2010

МВИ линейных размеров микро- и нанообъектов с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.11.2009

МВИ линейных размеров микро- и нанообъектов с помощью растрового электронного микроскопа S-4800
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  31.08.2009

МВИ линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции с помощью просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  31.08.2009

МВИ линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов, регистрируемых в ионных и электронных пучках с помощью микроскопа Quanta 200 3D
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.03.2009

МВИ локального химического состава трехкомпонентных тонких пленок твердых материалов методом электронной оже-спектроскопии, а именно мольных долей элементов, входящих в состав пленок
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  15.12.2009

МВИ локального электрического сопротивления наноматериалов и наноструктур с монотонной вольтамперной характеристикой с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений, предназначенного для измерения электрического тока в диапазоне 100 пА-10 нА
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  07.05.2010

МВИ локальной электрической емкостьи нанообъектов и наноструктур с шероховатостью поверхности (Rmax) не более 10 нм, электрическим сопротивлением не менее 1 ГОм и емкостью, постоянной в диапазоне приложенных напряжений от минус 10 В до 10 В, с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений, предназначенного для измерений параметров электрического тока
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.10.2010

МВИ массовых долей элементов однородных по составу пленок толщиной от 10 нм до 100 нм на подложке, состоящей из элементов отличных от элементов пленки, методом электронно-зондового рентгеноспектрального микроанализа с использованием спектрометрического (энергодисперсионного) блока детектирования рентгеновского излучения и массивных однородных образцов в качестве стандартных образцов
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.11.2010

МВИ межплоскосных расстояний в режиме дифракции и линейных размеров объектов в режиме изображения с помощью просвечивающего электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.10.2010

МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах и распределения интенсивностей в дифракционных картинах с помощью электронного дифрактометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.08.2009

МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах по электронным микродифракционным картинам. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.06.2010

МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах по электронным микродифракционным картинам. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра (электронографа)
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.06.2010

МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах с помощью просвечивающего электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.08.2009

МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  25.08.2009

МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.11.2009

МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47H
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  25.08.2009

МВИ метрических параметров полимерных микрокапсул в водных суспензиях с помощью оптического микроскопа Leica TCS SPE
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.03.2009

МВИ метрических параметров топографии поверхности полупроводниковых многослойных наногетероструктур с помощью атомно-силового микроскопа Dimension 3100
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.12.2009

МВИ мольной доли алюминия в эпитаксиальных пленках AlxGa1-xAs, выращенных на подложке GaAs, с помощью порошкового рентгеновского дифрактометра со спектрометрическим (энергодисперсионным) блоком детектирования рентгеновского излучения
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  07.05.2010

МВИ относительной толщины пленки FeNiCo на кремниевой подложке
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.11.2009

МВИ параметров элементарной ячейки монокристаллов
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  22.10.2010

МВИ периода структур, состоящих из узких штрихов, с помощью растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.10.2010

МВИ политипов монокристаллов карбида кремния с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S с координатным детектором
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  10.03.2009

МВИ размерных параметров наночастиц и тонких пленок с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.08.2009

МВИ размеров частиц в жидкой суспензии с помощью автоматического анализатора Delsa Nano
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  01.09.2010

МВИ распределения по глубине монокристаллического кремния содержания бора
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  30.07.2010

МВИ распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания кремния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  07.12.2009

МВИ распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания магния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  07.12.2009

МВИ толщин слоев гетероструктур с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7001F
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.11.2009

МВИ толщины диэлектрических пленок на пластинах кремния
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.11.2009

МВИ толщины однослойной тонкой пленки, а также суммарной толщины и размера межслоевого периода многослойных тонких пленок с помощью порошкового рентгеновского дифрактометра со спектрометрическим (энергодисперсионным) блоком детектирования рентгеновского излучения
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  07.05.2010

МВИ химического состава наноразмерных структур на основе оксидов переходных металлов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, а именно относительной доли атомов переходного металла с выбранной степенью окисления.
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  15.12.2009

МВИ химического состава поверхности с помощью блока детектирования рентгеновского излучения кремниевого в составе растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  15.12.2009

МВИ эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.08.2009

МВИ эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver Р47
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.10.2010

МВИ эффективной высоты шероховатости сверхгладких поверхностей подложек
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.10.2010

МВИ эффективной шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.11.2009

Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа по электронным микродифракционным картинам
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.11.2010

Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа по электронным нанодифракционным картинам
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.11.2010

Методика выполнения измерений геометрических параметров продукции нанотехнологий на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля в режиме квазитрения
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  06.07.2011

Методика выполнения измерений геометрических параметров трехмерного распределения локального оптического поля на сканирующих микроскопах ближнего поля с использованием стандартных образцов наноструктур и фотонных кристалов
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  06.07.2011

Методика выполнения измерений с помощью ПЭМ Tecnai G² 30 S-TWIN геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 0,25 нм до 200нм
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.07.2011

Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 5 нм до 100 нм
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.07.2011

Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 70 нм до 100 мкм
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.07.2011

Методика измерений и контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур. Линейные размеры проявленных в резисте структур и неравномерность ширины элементов резистивной маски на поверхности кремниевых пластин
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  28.10.2011

Методика измерений и контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур. Линейные размеры структур в оксидной маске на поверхности кремниевых пластин
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  28.10.2011

Методика измерений и контроля параметров экспериментальных образцов кристаллических рельефных наноструктур. Радиусы скругления углов при верхнем основании рельефных элементов на поверхности кремниевых пластин
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.03.2012

Методика поверки. Оптический микроскоп AxioImager m2M
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  06.12.0011

ГСИ. Акустико-эмиссионные информационно-измерительные комплексы Лель/A-Line 32D (DDM). Методика Поверки МП 12-03
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  20.06.2003

Отклонение рабочей поверхности кремниевой пластины от кристаллографической плоскости (100). Методика измерений с помощью рентгеновского дифрактометра D8 DISCOVER
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  08.11.2012

Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  25.08.2009

Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  01.09.2009

Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47H
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  25.08.2009

Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующей зондовой нанолаборатории Ntegra Aura
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  21.01.2009

Неравномерность ширины верхнего основания кристаллической рельефной наноструктуры. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  29.09.2011

Параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью просвечивающей электронной микроскопии
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.03.2012

Параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью электроннозондового рентгеноспектрального микроанализа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.03.2012

Параметры шаговой структуры в тонком слое монокристаллического кремния. Методика измерений с помощью стенда для входного и пооперационного контроля процесса изготовления кристаллических рельефных наноструктур
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.03.2012

Параметры шероховатости сверхгладких поверхностей. Методика выполнения измерений рентгеновским методом
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.07.2011

Параметры элементарной ячейки монокристаллов в области температур 90-490 К. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.07.2011

Период в непериодических структурах, состоящих из узких штрихов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  18.07.2011

Радиул скругления угла при верхнем основании рельефного элемента кристаллической рельефной наноструктуры. Методика измерений с помощью электронно-ионного микроскопа JIB 4500 и просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  31.10.2011

Размер наночастиц керамик в полимерном материале (гранулах и пленке). Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  28.10.2011

Размер частиц наноструктурированного гидроксида магния. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  28.10.2011

Размерные параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа с регистрацией изображения на фотопленку
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  03.09.2012

Степень интеркалированния (эксфолиации) слоистых силикатов в полимерной матрице. Методика измерений с помощью рентгеновского дифрактометра ARL X'TRA
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  28.10.2011

Толщина наноразмерных пластин силикатов в полимерной матрице. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  28.10.2011

Ширина верхнего основания и шаг трапецеидальных рельефных элементов в монокристаллическом кремнии. Методика измерений с помощью стенда для входного и пооперационного контроля процесса изготовления кристаллических рельефных наноструктур
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  21.12.2011

Ширина верхнего основания поперечного среза трапецеидального рельефного элемента в монокристаллическом кремнии. Методика измерений с помощью измерительного стенда для испытаний экспериментальных образцов кристаллических рельефных наноструктур
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  12.03.2012

Ширина верхнего основания поперечного среза трапецеидального рельефного элементы кристаллической наноструктуры. Методика измерений с помощью измерительного стенда для испытаний экспериментальных образцов кристаллических рельефных наноструктур
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  01.03.2012

Эффективная высота шероховатости поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47
Наименование организации, аттестовавшей методику :  ОАО НИЦПВ
Дата аттестации:  04.07.2011

Вернуться к списку ЦКП

 

Для просмотра сайта поверните экран